深入解析MOS管漏电流:成因与解决方案
视频分类:半导体共有:0 次观看2025-03-31 10:10:37视频时长:视频介绍关键词:解决方案 MOS 漏电
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本视频介绍了MOS管漏电流的主要六大原因,并探讨了相应的解决方案。MOS管的漏电流会导致功耗增加,尤其在低电压环境下更为明显。视频详细分析了山脊电流、热载流子效应、PN结反向饱和电流、衬底漏电、漏极漏电及亚阈值漏电的成因,并提出了针对性的优化措施,如提高绝缘层质量、优化沟道结构、降低工作温度及电源电压等方法,以减少漏电流影响。通过本视频,观众可以深入了解MOS管漏电现象的机理,并掌握改善电路设计的方法,以提升MOS管的性能与可靠性。  

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