本视频介绍了 MOS 管在开通过程中常见的**米勒效应**，并详细解析其成因及影响。米勒效应是由于输入电容的存在，导致 MOS 管的栅源电压（VGS）上升速度受限，从而影响 MOS 管进入导通状态的速度。这一现象不仅降低了电流响应速度，还可能影响电路的整体性能。视频进一步讲解了如何通过增加输入电容 CGS、优化电路设计以及减少寄生电容等方法来降低米勒效应的影响。通过本期内容，您将深入了解 MOS 管的工作原理，并掌握有效的优化策略。
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