MOS管深度解析:耗尽层与反型层的区别与作用
视频分类:半导体共有:0 次观看2025-03-10 16:05:36视频时长:2分16秒视频介绍关键词:MOS 反型层 区别
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本视频介绍了MOS管中的两种重要概念:耗尽层和反型层,并详细解析了它们的形成机制及作用。视频首先区分了N沟道和P沟道MOS管,解释了在不同电压条件下如何形成耗尽层和反型层。耗尽层是载流子浓度极低的区域,主要作用是降低漏电流,而反型层则是形成导电沟道,使电流得以传输。通过生动的比喻,视频形象地将耗尽层比作“电子荒漠”,反型层比作“电子通道”,更容易理解MOS管的工作原理。  

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