本视频介绍了BB Semi公司推出的双N沟道MOSFET产品——型号NTGD3148 NT1G。该MOSFET具有出色的电气性能,最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A,适用于广泛的应用场景。其驱动电压范围为12V,阈值电压范围在1.2V至2.2V之间。在2.5A时,RDS ON为28mΩ,在4.5A时,RDS ON为22mΩ,表明其具有较低的导通电阻,有助于提高能效。NTGD3148 NT1G广泛应用于电源管理、电池管理、信号放大和开关控制等领域,能够为各种模块的设计提供高效、可靠的解决方案。