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本视频探讨了氮化镓（GaN）作为下一代半导体材料的重要性。氮化镓的研发源于京都的松下半导体开发中心，并被应用于蓝色LED灯泡，甚至获得了诺贝尔奖。与传统的硅材料相比，氮化镓在高电压开关方面具有显著优势。它能够在约2纳秒内完成400伏特的导通，而硅材料则需要更长时间，氮化镓的开关速度是硅的10倍。这种高速度不仅使得外围设备的微型化成为可能，还能够提高能效。在同样条件下，氮化镓比硅材料产生的热量要少，从而大大节省了能源。这些特性使氮化镓成为未来高效、紧凑型电力设备的理想选择，具有巨大的应用潜力和前景。
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