简化设计、提升性能:Nexperia新型功率开关技术
视频分类:电源|开关器件共有:0 次观看2024-09-07 09:25:14视频时长:1分11秒视频介绍关键词:Nexperia 半导体 集成MOSFET
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本视频介绍了:在BCM 2023展会上,未来电子展台展示了Nexperia的最新技术,特别是其新型的“集成MOSFET”功率开关元件。这些元件相较于传统的功率开关,具有集成MOSFET的优势,使设计变得更加简便。传统的功率开关(如GaN FETs)由于设计复杂,往往给工程师带来挑战。Nexperia的创新方案通过将MOSFET集成到同一个封装中,不仅简化了设计过程,还保留了GaN FET在开关性能和效率方面的优势。这种设计使得客户能够在提高性能的同时,享受到更高的设计便利性,代表了功率开关技术的新进展。

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