本视频介绍了Omron的G3 VMT MOSFET继电器模块以其超低泄漏电流（小于1皮安）在提高应用性能方面表现出色。与传统的机械继电器相比，这些模块不仅能够提高测量精度，还能延长设备的使用寿命。G3 VMT模块采用MOSFET开关元素，能够减少由于漏电流引发的测量设备故障。模块内部集成了三个MOSFET对，通过电路配置在继电器关闭时将中间节点接地，显著降低了漏电流。此外，这些模块在高频应用中表现优异，提供了至少20 dB的隔离度，插入损耗在1 GHz频率下小于3 dB。G3 VMT继电器模块相比机械继电器体积更小，寿命更长，维护成本更低，适用于各种测试设备的性能提升。
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