本视频介绍的是,氮化镓(GaN)半导体为设计人员提供了比硅半导体更高的频率和功率操作能力,从而使电源管理系统变得更加紧凑和高效。然而,这种新型设计需要在更高频率下稳定运行的电容器。Chemits的聚合物电容器,特别是T540、T541和T543系列,以其稳定的电容、高体积效率和超低等效串联电阻(ESR),满足了氮化镓及其他宽禁带半导体的需求。这些电容器适用于高可靠性和空间应用,能够在高达80%或90%额定电压下稳定工作,甚至在极端环境下也表现优异。RT550和T551系列提供了密封型变体,适合需要提高环境抗性的氮化镓设计。